劃痕實(shí)驗(yàn)/細(xì)胞遷移可以使用不同的方法在細(xì)胞單層創(chuàng)建間隙（稱為“劃痕”）：
插件：在細(xì)胞接種前通過將插件/模具放置在培養(yǎng)表面，來形成無殘留的空白區(qū)域/劃痕；
刮擦：通過刮擦表面來制造人工“劃痕“機(jī)械去除細(xì)胞（劃痕分析）
阻抗：通過在指定區(qū)域施加電壓來去除細(xì)胞而創(chuàng)建間隙
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W.J. Ashby, A. Zijlstra. Established and novel methods of interrogating two-dimensional cell migration. Integr Biol 2012, 10.1039/c2ib20154b
使用ibidi劃痕插件創(chuàng)建間隙
ibidi提供三種不同規(guī)格的劃痕插件用于間隙的創(chuàng)建：ibidi有2孔、3孔和4孔插件（也有預(yù)置了2孔、3孔和4孔插件的培養(yǎng)皿）。由于特殊的底部（靜電黏附底部）設(shè)計(jì)，插件（生物相容硅膠材料）可粘附在培養(yǎng)器皿的表面。移除插件后，可形成無細(xì)胞殘留的空白間隙。此種方法使得在沒有任何細(xì)胞殘留的情況下，可重復(fù)地產(chǎn)生高度限定的空白間隙。
當(dāng)放置在平滑、干燥的表面上時(shí)，Culture-Insert 2 Well提供兩個(gè)用于培養(yǎng)細(xì)胞的儲(chǔ)液池，兩個(gè)儲(chǔ)液池由500μm厚的壁隔開。將細(xì)胞接種到儲(chǔ)液池中并培養(yǎng)直至細(xì)胞附著并形成單層，從表面移除硅膠插件后會(huì)產(chǎn)生兩個(gè)被插件中間壁隔開的精確定義的寬度完全相同的細(xì)胞區(qū)塊?，F(xiàn)在可以通過使用活細(xì)胞成像或在不同時(shí)間點(diǎn)拍攝照片來監(jiān)測細(xì)胞遷移。
Culture -Insert 3 Well提供三個(gè)細(xì)胞培養(yǎng)池。可創(chuàng)建兩個(gè)各500 µm的無細(xì)胞間隙，因此適合分析兩個(gè)技術(shù)重復(fù)或不同細(xì)胞類型的遷移。
Culture -Insert 4 Well提供四個(gè)細(xì)胞培養(yǎng)池。除了四個(gè)500 µm無細(xì)胞間隙外，還可產(chǎn)生一個(gè)1mm的中心間隙。Culture-Insert 4 Well可最多觀察四個(gè)技術(shù)重復(fù)或不同細(xì)胞類型的遷移。
使用ibidi Culture-Insert 4 Well進(jìn)行傷口愈合和遷移測定
ibidi 3孔/4孔兩者都可以在藥物治療或基因沉默/過度表達(dá)（例如，通過 CRISPR/Cas9、siRNA、mRNA）后進(jìn)行細(xì)胞遷移分析。重要的是，未經(jīng)處理的對照細(xì)胞可以在同一容器中接種和分析，共享相同的培養(yǎng)基。
與其他間隙產(chǎn)生技術(shù)不同，ibidi劃痕插件系列產(chǎn)品還適用于2D侵襲實(shí)驗(yàn)和同時(shí)使用兩種、三種甚至四種細(xì)胞類型或處理的共培養(yǎng)實(shí)驗(yàn)。
通過刮擦創(chuàng)造間隙
進(jìn)行劃痕測定時(shí)，細(xì)胞會(huì)生長直至形成單層。然后，用移液管尖端或針頭手動(dòng)刮擦細(xì)胞表面以產(chǎn)生傷口。通過在不同時(shí)間點(diǎn)拍攝照片或活細(xì)胞成像來監(jiān)測傷口閉合和細(xì)胞遷移。
關(guān)于再現(xiàn)性，該方法有一定的缺點(diǎn)：
間隙的寬度在很大程度上取決于施加到移液器尖端的壓力和其尺寸。
刮擦?xí)圆豢蓮?fù)制的方式去除表面涂層。這改變了細(xì)胞在該區(qū)域的粘附和遷移。
去除的細(xì)胞以不可重現(xiàn)的方式在劃痕邊緣形成活細(xì)胞和死細(xì)胞團(tuán)。活細(xì)胞的擴(kuò)散會(huì)覆蓋遷移的速度。
乍一看，槍刮和放置插件的方法似乎是兩種非常相似的創(chuàng)建無細(xì)胞間隙的方法。然而，仔細(xì)觀察，這兩種方法可能在重要檢測結(jié)果方面的影響存在差異：
與槍頭劃痕檢測相比，ibidi劃痕插件可提供更高的重現(xiàn)性
細(xì)胞遷移導(dǎo)致開放區(qū)域隨時(shí)間變化。使用ibidi Culture-Insert 2 well(左)和使用移液器吸頭刮擦(右)產(chǎn)生間隙的對比。數(shù)據(jù)來源：德國弗萊堡大學(xué)的M. Börries。
使用阻抗的劃痕實(shí)驗(yàn)
ECIS傷口愈合實(shí)驗(yàn)取代了傳統(tǒng)的劃痕實(shí)驗(yàn)。ECIS System不是用移液管尖端機(jī)械地破壞細(xì)胞層，然后用顯微鏡跟蹤細(xì)胞的遷移，而是使用電信號對傷口進(jìn)行監(jiān)測，然后監(jiān)測愈合過程。基于阻抗的傷口愈合實(shí)驗(yàn)的優(yōu)點(diǎn)包括：
•可同時(shí)進(jìn)行多達(dá)96次傷口愈合實(shí)驗(yàn)
•直接推導(dǎo)時(shí)間常數(shù)和傷口愈合速度
•經(jīng)濟(jì)高效的篩選應(yīng)用，從低通量到高通量
電擊傷前(左)和電擊傷后(右)的細(xì)胞層。圓圈標(biāo)記電極區(qū)域，此處細(xì)胞暴露在電中
在與250μm電極接觸的一小群細(xì)胞上進(jìn)行點(diǎn)擊傷，從而產(chǎn)生明確的傷口。損傷區(qū)域內(nèi)的細(xì)胞密度由阻抗反映，由ECIS系統(tǒng)連續(xù)測量。受傷后，電極周圍的健康細(xì)胞立即遷移并取代電極上的死細(xì)胞，導(dǎo)致測量阻抗值的變化。根據(jù)細(xì)胞培養(yǎng)基中胎牛血清(FCS)的濃度，在10、13或20小時(shí)后再次達(dá)到原始細(xì)胞密度。
對與250µm電極接觸的少量細(xì)胞進(jìn)行電損傷，從而形成明確的傷口。受傷區(qū)域內(nèi)的細(xì)胞密度由阻抗反映，該阻抗由ECIS系統(tǒng)連續(xù)測量。受傷后，電極周圍的健康細(xì)胞立即遷移并替換電極上的死細(xì)胞，導(dǎo)致測量阻抗值發(fā)生變化。根據(jù)細(xì)胞培養(yǎng)基中胎牛血清（FCS）的濃度，在10、13或20小時(shí)后再次達(dá)到原始細(xì)胞密度。
在細(xì)胞培養(yǎng)基中使用不同濃度（0%、1%和10%）的FCS對時(shí)間依賴性傷口閉合進(jìn)行基于阻抗的分析
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